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傳統(tǒng)封裝工藝流程簡(jiǎn)介

?在晶圓制作完成后，會(huì)出貨給封裝廠，封裝廠再將一粒粒的芯片封裝起來。我這里所說的傳統(tǒng)封裝是指以打線為主的封裝方式，比如DIP,QFP,SOP,QFN等，不包括倒裝。這里就簡(jiǎn)單介紹一下傳統(tǒng)封裝的工藝流程及工藝特點(diǎn)。

1，晶圓減薄（Grind）

隨著晶圓直徑的增加，其厚度也相應(yīng)增加。4inch晶圓一般厚度為525um，6寸為625um，8寸775um，12寸925um。過厚的芯片不僅不利于散熱，還會(huì)導(dǎo)致封裝尺寸過大。因此需要將晶圓減薄到50-200um。

晶圓減薄技術(shù)主要有：機(jī)械切削，化學(xué)機(jī)械拋光（cmp），濕法刻蝕，干法刻蝕等。

2，劃片切割（Dicing）

它將一個(gè)大的晶圓切割成許多單獨(dú)的小塊，每個(gè)小塊是一個(gè)“芯片”（Chip，die），這些芯片是單個(gè)集成電路的基本單位。目前比較常見的劃片方式有三種：刀片切割，激光切割，等離子切割等。

刀片切割：使用金剛石刀片進(jìn)行物理切割。這是一種成本效益較高的傳統(tǒng)方法，但會(huì)對(duì)芯片邊緣造成機(jī)械應(yīng)力，而產(chǎn)生崩邊（正崩或背崩）。

激光切割：使用高強(qiáng)度的激光精確切割晶圓。這種方法特別適用于處理薄晶圓或需要極高精度的場(chǎng)景。

等離子切割：使用等離子體束進(jìn)行切割，適用于復(fù)雜或敏感的集成電路。

3，芯片貼裝（Die Attach）

它指的是將一粒粒的芯片固定在基板或框架上。貼裝一般有三種方法：共晶法，焊接法，導(dǎo)電膠粘貼法等。

共晶法：利用Au和Si可形成共晶體的特點(diǎn)進(jìn)行共晶熔接。

焊接法：用Pb-Sn合金薄膜作為中間層，在保護(hù)氣氛中加熱，進(jìn)行熔融焊接。

導(dǎo)電膠粘貼法：將含有銀粉的環(huán)氧樹脂（銀漿）涂敷在框架或基板上，再將芯片放置其上，固化后可以將芯片牢牢粘接。

4，打線鍵合（WB wire bonding）

主要是用超細(xì)的金屬線（通常是金或鋁線）將芯片上的電極連接到封裝的框架或基板上。打線鍵合包括兩種主要方法——熱壓鍵合和超聲鍵合。不過在實(shí)際的生產(chǎn)中，會(huì)將熱壓與超聲結(jié)合在一起使用。

5，塑封（Molding）

塑封是為了保護(hù)和隔離芯片、金屬引線、框架的內(nèi)腿以及其他易受損的部分。塑封是將工件和樹脂安裝在模具中，加熱模具，使樹脂液化充滿模具，降溫保持一定時(shí)間后，樹脂凝結(jié)為固態(tài)即可取出。取出后的固態(tài)樹脂沒有經(jīng)過完全固化，還要在烘箱中進(jìn)行完全的固化處理。

6，切筋（trimming）

引線框架的各腿是用筋連接著的，起支撐作用，塑封固化后，需要將其連筋切掉。

7，打標(biāo)（marking）

在塑封的環(huán)氧樹脂上打上產(chǎn)品型號(hào)，商標(biāo)，批次等信息。

8，電鍍外腳（Plating）

對(duì)裸露在外的引線框架外腳電鍍Sn-Pb合金，這樣不僅可以提高外腳的抗氧化性，還有利于后續(xù)與印刷電路板的焊接。

9，成型

對(duì)外腳進(jìn)行沖壓彎曲，并切掉多余的部分，形成一粒粒的封裝產(chǎn)品。