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NeoFuse—力旺電子之全新反熔絲架構嵌入式非揮發性內存技術

　　力旺電子日前宣布，正式推出全新反熔絲架構之嵌入式非揮發性內存技術NeoFuse，此技術瞄準先進工藝平臺，具備硅智財組件尺寸小與保存能力佳等特點，可滿足客戶產品在先進工藝產品之進階需求。目前NeoFuse技術已在多家國際級晶圓代工廠之65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等低功耗與高壓先進工藝通過組件技術驗證，預計將于今年Q3通過可靠性驗證并在Q4進入量產。延續在NeoBit技術開發的成功經驗，NeoFuse技術的推出意味著力旺電子已將其單次可程序嵌入式非揮發性內存技術的布局版圖從成熟工藝進一步推展至先進工藝。 NeoFuse為全新反熔絲(antifuse)架構之單次可程序嵌入式非揮發性內存技術，利用編程過程中的阻抗改變(impedancechange)實現數據儲存功能，并藉由外圍電路的巧妙設計使NeoFuse IP具備低功耗、高可靠度與安全保密等特色。NeoFuse技術的特殊組件架構有效地降低工藝變異的影響，使得各內存位的一致性大幅提高。相較于代工廠所提供的傳統eFuse，NeoFuse技術提供更小的組件與硅智財線路尺寸，無需以大電流熔燒，且在數據寫入后不會留下熔燒的痕跡，此外耐高溫及資料留存能力高，故特別適合面積小、高儲存容量之應用，如機頂盒(STB)、數字電視(DTV)與影像感測芯片(CIS ICs)等應用領域。 力旺電子之NeoFuse技術與標準CMOS制程完全兼容，無需加額外光罩，不會受限于傳統eFuse不易轉廠的限制，可協助客戶大幅減少制造成本。無論是提供程序代碼儲存(code storage)、加解密碼儲存(encryption code)、身份識別(Identification)或是電路調校(analog trimming)等，NeoFuse所提供的多樣化解決方案，完全符合客戶在芯片設計應用上的多元化需求。而針對相同編程內容且需大量出貨的產品應用，亦延續了建置在NeoBit平臺上的NeoROM方案，提供給客戶自NeoFuse轉成ROM的彈性空間。 力旺電子持續投入創新研發能量，積極布局嵌入式非揮發性內存技術版圖，目前已有NeoBit、NeoFlash、NeoEE、NeoMTP與NeoFuse等涵蓋單次可程序與多次可程序之產品線，從成熟量產的工藝到先進工藝均具備最適合的解決方案，將能為客戶提供更完整且全方位的硅智財導入服務。