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我國(guó)IC業(yè)發(fā)展三大趨勢(shì)及障礙

　　2012年我國(guó)設(shè)計(jì)企業(yè)前10家的銷售額總和達(dá)到231.17億元，比上年增加29.7億元。10家企業(yè)的銷售額總和占全行業(yè)銷售額總和的比例為33.97%，比上年的31.76%增加2.21個(gè)百分點(diǎn)。
　　IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本要素或動(dòng)力是什么?業(yè)界普遍認(rèn)為，政府大力支持、務(wù)實(shí)的政策制度、建設(shè)良好的基礎(chǔ)設(shè)施和充沛的人力資源，是后是國(guó)家和地區(qū)IC產(chǎn)業(yè)后來(lái)居上的幾大關(guān)鍵要素。了解這些要素的國(guó)家和地區(qū)為數(shù)不少，為什么只有日本、韓國(guó)和我國(guó)臺(tái)灣等地方的企業(yè)脫穎而出?研究表明，出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因主要與政策引導(dǎo)和制度創(chuàng)新密切相關(guān)。
　　全球IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)三大趨勢(shì)。IC企業(yè)按專業(yè)分工，可分為IDM、無(wú)晶圓、制造、封裝測(cè)試、設(shè)備制造、材料生產(chǎn)等環(huán)節(jié)的獨(dú)立企業(yè)。國(guó)際集成電路技術(shù)發(fā)展有三個(gè)主要趨勢(shì)：一是技術(shù)發(fā)展繼續(xù)遵循摩爾定律(MM)，英特爾CMOS技術(shù)已達(dá)到22nm工藝節(jié)點(diǎn)，擬于2013年引入14nm工藝節(jié)點(diǎn)，并正在部署7nm。臺(tái)積電最高端CMOS達(dá)到28nm，正在規(guī)劃2015年到達(dá)10nm。二是功能集成，稱為拓展摩爾定律(MtM)，即在單個(gè)芯片/封裝/模塊上，更多地集成包括RF、功率控制、無(wú)源元件、傳感器、制動(dòng)器等功能單元。三是發(fā)展新興材料和器件，預(yù)計(jì)到2019年，研究出超過(guò)CMOS器件性能的新器件，可用于繼續(xù)提高CMOS工藝的能力。
　　我國(guó)大陸IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展面臨三大障礙。一是產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的配套和協(xié)同問題。產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的配套和協(xié)同沒有合理的布局。首先是集成電路的應(yīng)用行業(yè)與集成電路產(chǎn)業(yè)的嚴(yán)重脫節(jié);其次是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的配套和協(xié)同;再次是在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期由于基礎(chǔ)薄弱、區(qū)域發(fā)展不平衡等原因，集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)和支持性產(chǎn)業(yè)沒有發(fā)展到位，造成企業(yè)效率低下和成本高昂，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)配套和協(xié)同有較大縫裂，成套設(shè)備供應(yīng)、材料產(chǎn)品質(zhì)量離一流IC企業(yè)的要求還有不小差距。
　　二是技術(shù)障礙。首先是中小企業(yè)進(jìn)入新的產(chǎn)業(yè)所面臨的技術(shù)障礙。由于半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)密集、資本密集和發(fā)展迅速等特點(diǎn)，使得中小企業(yè)在知識(shí)獲得、技術(shù)引進(jìn)、消化吸收、建廠投產(chǎn)等方面困難重重，短期內(nèi)打造出有效的全球性競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)有較大的難度。
　　
　　三是創(chuàng)新聯(lián)盟、官學(xué)研產(chǎn)協(xié)作研發(fā)機(jī)制運(yùn)行效率不高，這是制約我國(guó)大陸集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的又一重大因素。要實(shí)現(xiàn)趕超需結(jié)合實(shí)情，學(xué)習(xí)模仿建立高效實(shí)用的官學(xué)研產(chǎn)一體化的研發(fā)保障體制，實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展。